中国在芯片制造方面取得的进展以及其在EUV光刻机技术方面的挑战。中国成功突破EUV光刻机技术,对中国的高科技产业和经济发展产生深远影响。
/ g- ^& q4 b4 `' S% o首先,中国的芯片制造业将成为全球竞争中的重要参与者,具有更大的自主创新能力和更广阔的市场前景。中国将不再受制于西方技术封锁和制裁,能够更好地满足国内市场和国际市场的需求。, N2 \' U/ V4 t$ ~4 N- ?, |
其次,中国的科技实力和国际地位将得到提升。芯片制造是高科技产业的核心和关键领域,能够制造出7nm、5nm和3nm芯片的国家将被认为具有强大的科技实力和制造能力。中国将有望成为全球芯片制造业的领导者之一,增强其在国际社会中的话语权和影响力。
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+ f# L' S0 L, m+ E( E能够制造5nm芯片的EUV光刻机,其三大核心技术均已被我国突破,高端制程的芯片制造已彻底为我国打开了大门。自美国发动贸易战以来,芯片制裁是美国为数极少的可以恶心到我们的领域,不知道多少专家翻来覆去的说光刻机乃全球人类智慧的结晶,是来自30多个国家的5000多家供应商合力而成,凭中国一国之力根本不可能搞定这东西。但我们在短短几年之内实现了芯片制造的国产化。从90nm光刻机开始,我们连续突破了65nm,55nm,28nm等多个技术等级的光刻机,目前已实现28nm的光刻机量产。28nm为芯片主流成熟制程,可满足全球芯片需求的70%以上。按理说这也够了,成功研发出28nm纯国产光刻机后,单纯从经济上来说,美国的芯片制裁就已经失败了。但芯片这东西被美国打成了政治牌,不仅代表经济,还代表美国无可匹敌的技术实力和号召能力,7nm和5nm高端芯片的制造能力已经不仅仅是钱的问题了,更成了一种象征。所以我们不能满足于28nm光刻机,既然要做就一口气做到底,借美国大打芯片牌的机会一口气打碎美国技术无敌的滤镜,并且让敢于跟随美国制裁我国的商家亏损惨重,以儆效尤。在纯国产28nm芯片生产线正式投产的同时,上海微电子研发的DUV光刻机利用多次曝光的技术可强行生产出7nm的芯片,解决了我国高端国产芯片从无到有的问题。但这种多次曝光技术成本太高,造出来的7nm芯片没有商业大规模量产的价值,达不到我国彻底打碎美国芯片封锁的需求。想真正生产出纯国产的高端芯片,以一国之力匹敌全世界的技术联盟,必须突破EUV光刻机技术。和中低端光刻机相比,EUV光刻机从原理上就完全不同,所以哪怕常规技术路线可以迅速从90nm升级到28nm,也制造不出来7nm和5nm的芯片。想商业量产7nm、5nm和全球都正在研发中的3nm芯片,国际公认必须要有EUV光刻机,而这东西只有荷兰ASML公司可以生产,甚至ASML都有90%的零部件采购自30多个国家,自己只负责组装,能荷兰自产的只有10%。所以ASML的技术负责人说即便把图纸给中国我们也造不出来,因为在买不到零部件的前提下,他们自己都造不出来,何况别人。EUV光刻机共有三大核心技术,分别为EUV光源系统,高精度弧形反射镜系统、超高精度真空双工件台。
' _5 `0 G/ t: @$ B中国并非毫无技术底蕴,这三大核心技术其实还是有一个的。早在2015年,中国的长春光机所就已经研发出了EUV光刻机的高精度弧形反射镜系统,多层层镀膜面形误差小于0.1nm,达到了EUV级光刻机的标准。但这套系统有个小问题,并非所有零部件都是国产的,其中镀膜装置采购自海外。放在外国的话,长春光机所的这项技术就已经是人类最顶尖级别的了,但当被禁售制裁导致镀膜装置买不到后就全废了。我们知道如何制造人类最顶级的高精度弧形反射镜系统,但缺少镀膜装置这个零部件,导致整个系统都无法制造。2021年7月,中科院控股企业北京中科科美成功研发出镀膜精度控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置,满足了长春光机所对零部件的技术要求。中科科美研发的镀膜装置送到长春光机所后,我国立刻制造出了EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统。0 e; ?1 K4 n+ e6 ?8 W
这次纯国产,每一个零部件都是国产。至此EUV光刻机的三大核心技术被我国突破了一个,还剩两个。2022年,哈工大传来喜讯,该大学科研组成功研发出真空用超高精度激光干涉仪,位移分辨力5pm,位移测量标准差达到30pm,关键指标与ASML最高水平接近,满足EUV真空双工件台对高速超精密激光干涉仪的精度要求。双工件台造起来不难,但双工件台的工作精度由激光干涉仪决定。我国突破了真空用超高精度激光干涉仪的关键技术,就可以轻松制造超高精度的真空双工件台。凭此贡献,哈工大于2022年荣获中国光学领域最高荣誉金隧奖,并在金奖名单里位列第一。
4 g. ~7 Z. @0 Z: V2 a* V( X为什么美国要把哈工大列入制裁实体清单,拼命遏制这个学校的发展,现在你应该知道了。美国的制裁清单都是精挑细选的,从来都不会冤枉任何人,不够格的是不配上清单的。因为哈工大的贡献,EUV级光刻机的三大核心技术的第二项,被我国成功突破。还剩下的那最后一项是EUV光源系统,也是核心的核心。光刻机光刻机,听名字你就知道光源才是最核心的东西,而EUV光源则是EUV光刻机的心脏部件。这玩意全球只有美国会造,多年来都明文列入瓦森纳协定,美国麾下的42个瓦森纳成员国集体对中国严格禁售。没有EUV级光源,哪怕其他光刻机部件中国全都造出来了也没用。2022年下半年,有小道消息说中国已成功研发出EUV级光源,但并没有官方信息证实。2023年4月13日,长春光机所官网公布消息,中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼在长春光机所参观了EUV光源系统。
8 m7 @4 ?7 J x; T, n这是中国首次官方证实了我国已成功研发出EUV光源系统。而且在官网的介绍里,明确写着白春礼参观的是EUV光源样机,也就是说长春光机所连工程样机都已经制造出来了。
8 \+ W9 b' L' W; [) @* J所谓工程样机,指的是面向商用研制的1:1样机,在通过验收后就可以直接量产,交付客户使用。按中国的“潜规则”,工程样机没有经过严格测试认定成功之前是不可能邀请领导来参观的,敢让领导来参观并在官网上对外公布,那就说明该工程样机不仅制造成功且已经通过了测试。倒算时间,长春光机所在实验室里成功研发出EUV光源那就是去年底,小道消息没有错,只是官网通告要把方方面面都测试到万无一失才可以,所以又等了半年才公布。至此,中国成功突破了EUV光刻机的所有关键技术,跨过了高端光刻机和中端光刻机的关键门槛,纯国产7nm和5nm甚至3nm芯片生产线的大门已被中国彻底打开。对此消息,外媒的评价是“炸裂式技术突破”。$ B* K2 O& l2 k2 n; ]
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